This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
Features:
Type: n-channel
Drain-to-Source Breakdown Voltage: 400 V
Gate-to-Source Voltage, max: ±30 V
Drain-Source On-State Resistance, max: 0.600 Ohm
Continuous Drain Current: 10 A
Total Gate Charge: 15 nC
Power Dissipation: 147 W
Package: TO-220AB
توضیحات تکمیلی
وزن
1 گرم
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.
اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ماسفت IRF740B دارای پکیج TO-220” لغو پاسخ
نقد و بررسیها
هنوز بررسیای ثبت نشده است.